日韩偷拍一区二区,国产香蕉久久精品综合网,亚洲激情五月婷婷,欧美日韩国产不卡

第1章 緒論

1.1 技術趨勢：延續摩爾定律

1.1.1 器件的改進

1.1.2 材料科學的貢獻

1.1.3 深亞波長光刻

1.2 可制造性設計

1.2.1 DFM的經濟價值

1.2.2 偏差

1.2.3 對基于模型的DFM方法的需求

1.3 性設計

1.4 小結

參考文獻

第2章 半導體制造

2.1 概述

2.2 圖形生成工藝

2.2.1 光刻

2.2.2 刻蝕技術

2.3 光學圖形生成

2.3.1 照明系統

2.3.2 衍射

2.3.3 成像透鏡系統

2.3.4 曝光系統

2.3.5 空間像與縮小成像

2.3.6 光刻膠圖形生成

2.3.7 部分相干

2.4 光刻建模

2.4.1 唯象建模

2.4.2 光刻膠的物理建模

2.5 小結

參考文獻

第3章 工藝和器件偏差：分析與建模

3.1 概述

3.2 柵極長度偏差

3.2.1 光刻導致的圖形化偏差

3.2.2 線邊緣粗糙度：理論與特性

3.3 柵極寬度偏差

3.4 原子的波動

3.5 金屬和電介質厚度偏差

3.6 應力引起的偏差

3.7 小結

參考文獻

第4章 面向制造的物理設計

4.1 概述

4.2 光刻工藝窗口的控制

4.3 分辨率增強技術

4.3.1 光學鄰近效應修正

4.3.2 亞分辨率輔助圖形

4.3.3 相移掩膜

4.3.4 離軸照明

4.4 DFM的物理設計

4.4.1 幾何設計規則

4.4.2 受限設計規則

4.4.3 基于模型的規則檢查和適印性驗證

4.4.4 面向可制造性的標準單元設計

4.4.5 減小天線效應

4.4.6 DFM的布局與布線

4.5 高級光刻技術

4.5.1 雙重圖形光刻

4.5.2 逆向光刻

4.5.3 其他高級技術

4.6 小結

參考文獻

第5章 計量、制造缺陷以及缺陷提取

5.1 概述

5.2 工藝所致的缺陷

5.2.1 誤差來源的分類

5.2.2 缺陷的相互作用及其電效應

5.2.3 粒子缺陷建模

5.2.4 改善關鍵區域的版圖方法

5.3 圖形所致缺陷

5.3.1 圖形所致缺陷類型

5.3.2 圖形密度問題

5.3.3 圖形化缺陷建模的統計學方法

5.3.4 減少圖形化缺陷的版圖方法

5.4 計量方法

5.4.1 測量的精度和容限

5.4.2 CD計量

5.4.3 覆蓋計量

5.4.4 其他在線測量

5.4.5 原位計量

5.5 失效分析技術

5.5.1 無損測試技術

5.5.2 有損測試技術

5.6 小結

參考文獻

第6章 缺陷影響的建模以及成品率提高技術

6.1 概述

6.2 缺陷對電路行為影響的建模

6.2.1 缺陷和故障的關系

6.2.2 缺陷-故障模型的作用

6.2.3 測試流程

6.3 成品率提高

6.3.1 容錯技術

6.3.2 避錯技術

6.4 小結

參考文獻

第7章 物理設計和性

7.1 概述

7.2 電遷移

7.3 熱載流子效應

7.3.1 熱載流子注入機制

7.3.2 器件損壞特性

7.3.3 經時介電擊穿

7.3.4 緩解HCI引起的退化

7.4 負偏壓溫度不穩定性

7.4.1 反應-擴散模型

7.4.2 靜態和動態NBTI

7.4.3 設計技術

7.5 靜電放電

7.6 軟錯誤

7.6.1 軟錯誤的類型

7.6.2 軟錯誤率

7.6.3 面向性的SER緩解與修正

7.7 性篩選與測試

7.8 小結

參考文獻

第8章 可制造性設計：工具和方法學

8.1 概述

8.2 IC設計流程中的DFx

8.2.1 標準單元設計

8.2.2 庫特征化

8.2.3 布局、布線與虛擬填充

8.2.4 驗證、掩膜綜合與檢測

8.2.5 工藝和器件仿真

8.3 電氣DFM

8.4 統計設計與投資回報率

8.5 優化工具的DFM

8.6 面向DFM的性分析

8.7 未來技術節點的DFx

8.8 結束語

參考文獻