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第1章 光刻技術概述

1.1 半導體技術節點

1.2 集成電路的結構和光刻層

1.3 光刻工藝

1.4 曝光系統的分辨率和聚焦深度

1.4.1 分辨率

1.4.2 聚焦深度

1.4.3 調制傳遞函數

1.5 對設計的修正和版圖數據流程

1.6 光刻工藝的評價標準

1.7 去膠返工

1.8 光刻工藝中缺陷的檢測

1.8.1 旋涂后光刻薄膜中缺陷的檢測

1.8.2 曝光后圖形的缺陷檢測

1.9 光刻工藝的成本

1.10 現代光刻工藝研發各部分的職責和協作

1.10.1 晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之間的交叉和牽制

1.10.2 先導光刻工藝研發的模式

1.10.3 光刻與刻蝕的關系

參考文獻

第2章 勻膠顯影機及其應用

2.1 勻膠顯影機的結構

2.2 勻膠顯影流程的控制程序

2.3 勻膠顯影機內的主要工藝單元

2.3.1 晶圓表面增粘處理

2.3.2 光刻膠旋涂單元

2.3.3 烘烤和冷卻

2.3.4 邊緣曝光

2.3.5 顯影單元

2.4 清洗工藝單元

2.4.1 去離子水沖洗

2.4.2 晶圓背面清洗

2.5 勻膠顯影機中的子系統

2.5.1 化學液體輸送系統

2.5.2 勻膠顯影機中的微環境和氣流控制

2.5.3 廢液收集系統

2.5.4 數據庫系統

2.6 勻膠顯影機性能的監測

2.6.1 膠厚的監測

2.6.2 旋涂后膠膜上顆粒的監測

2.6.3 顯影后圖形缺陷的監測

2.6.4 熱盤溫度的監測

2.7 集成于勻膠顯影機中的在線測量單元

2.7.1 膠厚測量單元

2.7.2 膠膜缺陷的檢測

2.7.3 使用高速相機原位監測工藝單元內的動態

2.8 勻膠顯影機中的閉環工藝修正

2.9 勻膠顯影設備安裝后的接收測試

2.9.1 顆粒測試

2.9.2 增粘單元的驗收

2.9.3 旋涂均勻性和穩定性的驗收

2.9.4 顯影的均勻性和穩定性測試

2.9.5 系統性測試

2.9.6 產能測試

2.9.7 對機械手的要求

2.10 勻膠顯影機的使用維護

參考文獻

第3章 光刻機及其應用

3.1 投影式光刻機的工作原理

3.1.1 步進掃描式曝光

3.1.2 光刻機曝光的流程

3.1.3 曝光工作文件的設定

3.1.4 雙工件臺介紹

3.2 光刻機的光源及光路設計

……

第4章 光刻材料

第5章 掩模板及其管理

第6章 對準和套刻誤差控制

第7章 光學鄰近效應修正與計算光刻

第8章 光刻工藝的設定與監控

第9章 晶圓返工與光刻膠的清除

第10章 雙重和多重光刻技術

第11章 極紫外(EUV)光刻技術

中英文光刻術語對照

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