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Physica Status Solidi-rapid Research Letters是物理與天體物理領域的一本優秀期刊。由Wiley-VCH Verlag出版社出版。該期刊主要發表物理與天體物理領域的原創性研究成果。創刊于2007年，該期刊主要刊載物理-材料科學：綜合及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI4區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動物理與天體物理領域的進步。
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| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 4區 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區 | PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 | 3區 3區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理 | 3區 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 3區 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 物理與天體物理 | 3區 | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 257 / 438 |
41.4% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 87 / 179 |
51.7% |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 42 / 79 |
47.5% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 267 / 438 |
39.16% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 111 / 179 |
38.27% |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 42 / 79 |
47.47% |
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics | Q2 | 129 / 434 |
70% |
| 大類：Physics and Astronomy 小類：General Materials Science | Q2 | 176 / 463 |
62% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發文量 | 180 | 132 | 133 | 140 | 162 | 194 | 235 | 268 | 197 | 214 |
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 232 |
| GERMANY (FED REP GER) | 91 |
| USA | 80 |
| Russia | 61 |
| South Korea | 52 |
| Japan | 43 |
| France | 33 |
| Australia | 27 |
| India | 27 |
| Italy | 21 |
| 機構 | 數量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 46 |
| RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 39 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 27 |
| HELMHOLTZ ASSOCIATION | 26 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 16 |
| RWTH AACHEN UNIVERSITY | 12 |
| CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR) | 11 |
| XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY | 11 |
| CENTRAL SOUTH UNIVERSITY | 10 |
| HUNAN UNIVERSITY | 10 |
| 文章名稱 | 引用次數 |
| Overview of Resistive Random Access Memory (RRAM): Materials, Filament Mechanisms, Performance Optimization, and Prospects | 17 |
| Organic Flexible Memristor with Reduced Operating Voltage and High Stability by Interfacial Control of Conductive Filament Growth | 16 |
| Memristive Devices and Networks for Brain-Inspired Computing | 15 |
| Separator Modification and Functionalization for Inhibiting the Shuttle Effect in Lithium-Sulfur Batteries | 15 |
| All-Inorganic Hetero-Structured Cesium Tin Halide Perovskite Light-Emitting Diodes With Current Density Over 900Acm(-2) and Its Amplified Spontaneous Emission Behaviors | 14 |
| Mesoporous Carbon-Coated Bismuth Nanorods as Anode for Potassium-Ion Batteries | 14 |
| PIN Diodes Array Made of Perovskite Single Crystal for X-Ray Imaging | 13 |
| Evidence for Thermal-Based Transition in Super-Lattice Phase Change Memory | 12 |
| High Resolution Imaging of Chalcogenide Superlattices for Data Storage Applications: Progress and Prospects | 12 |
| 2D MoSe2 Structures Prepared by Atomic Layer Deposition | 12 |
SCIE
影響因子 4.2
CiteScore 1.5
SCIE
影響因子 0.9
CiteScore 1.6
SCIE
影響因子 1.8
CiteScore 3.1
SCIE
影響因子 2.7
CiteScore 6.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.4
SCIE
CiteScore 4
SCIE
影響因子 4.8
CiteScore 6.7
SCIE
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 0.7
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.3
CiteScore 2.7
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