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Solid-state Electronics
人氣:30

Solid-state Electronics SCIE

  • ISSN:0038-1101
  • 出版商:Elsevier Ltd
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:1879-2405
  • 出版地區(qū):UNITED STATES
  • 是否預(yù)警:
  • 創(chuàng)刊時(shí)間:1960
  • 出版周期:Monthly
  • TOP期刊:
  • 影響因子:1.4
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:3
  • H-index:87
  • 研究類文章占比:99.43%
  • Gold OA文章占比:18.40%
  • 文章自引率:0.0588...
  • 開源占比:0.0803
  • OA被引用占比:0.0126...
  • 出版國(guó)人文章占比:0.16
  • 出版修正文章占比:0.0062...
  • 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:SOLID STATE ELECTRON
  • 涉及的研究方向:物理-工程:電子與電氣
  • 中文名稱:固態(tài)電子
  • 預(yù)計(jì)審稿周期: 一般,3-6周 約9.2周
國(guó)內(nèi)分區(qū)信息:

大類學(xué)科:物理與天體物理  中科院分區(qū)  4區(qū)

國(guó)際分區(qū)信息:

JCR學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、PHYSICS, APPLIED、PHYSICS, CONDENSED MATTER  JCR分區(qū)  Q3

  • 影響因子:1.4
  • Gold OA文章占比:18.40%
  • OA被引用占比:0.0126...
  • CiteScore:3
  • 研究類文章占比:99.43%
  • 開源占比:0.0803
  • 文章自引率:0.0588...
  • 出版國(guó)人文章占比:0.16

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Solid-state Electronics 期刊簡(jiǎn)介

Solid-state Electronics是物理與天體物理領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。該期刊主要發(fā)表物理與天體物理領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1960年,該期刊主要刊載物理-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)物理與天體物理領(lǐng)域的進(jìn)步。

同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡(jiǎn)潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 一般,3-6周 約9.2周。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究?jī)?nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。

Solid-state Electronics 期刊國(guó)內(nèi)分區(qū)信息

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

Solid-state Electronics 期刊國(guó)際分區(qū)信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98%

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28%

CiteScore指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3
  • SJR:0.348
  • SNIP:0.655
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

47%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

43%

大類:Engineering 小類:Materials Chemistry Q3 182 / 317

42%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

40%

期刊評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
期刊影響因子和自引率趨勢(shì)圖

發(fā)文統(tǒng)計(jì)

年發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發(fā)文量 182 256 217 210 161 163 159 183 255 175
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
國(guó)家/地區(qū) 數(shù)量
South Korea 131
CHINA MAINLAND 104
France 76
USA 53
GERMANY (FED REP GER) 36
India 24
Spain 21
England 17
Belgium 16
Japan 16
機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)
機(jī)構(gòu) 數(shù)量
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 55
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 38
UNIVERSITE DE SAVOIE 33
CEA 32
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 26
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 23
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY 17
STMICROELECTRONICS 16
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH) 12
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 11

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文章名稱 引用次數(shù)
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Low-voltage electric-double-layer MoS2 transistor gated via water solution 11
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若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。

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