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Solid-state Electronics是物理與天體物理領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。該期刊主要發(fā)表物理與天體物理領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1960年,該期刊主要刊載物理-工程:電子與電氣及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)物理與天體物理領(lǐng)域的進(jìn)步。
同時(shí),我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡(jiǎn)潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 一般,3-6周 約9.2周。若您對(duì)于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動(dòng)與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究?jī)?nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實(shí)現(xiàn)學(xué)術(shù)成果的順利發(fā)表。
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 259 / 352 |
26.6% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 138 / 179 |
23.2% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q4 | 61 / 79 |
23.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 261 / 354 |
26.41% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 133 / 179 |
25.98% |
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 54 / 79 |
32.28% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering | Q3 | 419 / 797 |
47% |
大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics | Q3 | 245 / 434 |
43% |
大類:Engineering 小類:Materials Chemistry | Q3 | 182 / 317 |
42% |
大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 169 / 284 |
40% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 182 | 256 | 217 | 210 | 161 | 163 | 159 | 183 | 255 | 175 |
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
South Korea | 131 |
CHINA MAINLAND | 104 |
France | 76 |
USA | 53 |
GERMANY (FED REP GER) | 36 |
India | 24 |
Spain | 21 |
England | 17 |
Belgium | 16 |
Japan | 16 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 55 |
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES | 38 |
UNIVERSITE DE SAVOIE | 33 |
CEA | 32 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 26 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 23 |
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY | 17 |
STMICROELECTRONICS | 16 |
POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH) | 12 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 11 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Lightweight flexible indium-free oxide TFTs with AND logic function employing chitosan biopolymer as self-supporting layer | 21 |
The photovoltaic impact of atomic layer deposited TiO2 interfacial layer on Si-based photodiodes | 12 |
Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET | 11 |
Low-voltage electric-double-layer MoS2 transistor gated via water solution | 11 |
Effect of defect creation and migration on hump characteristics of a-InGaZnO thin film transistors under long-term drain bias stress with light illumination | 11 |
Characterization and modeling of 28-nm FDSOI CMOS technology down to cryogenic temperatures | 10 |
Improve the performance of CZTSSe solar cells by applying a SnS BSF layer | 10 |
A review on terahertz photogalvanic spectroscopy of Bi2Te3- and Sb2Te3-based three dimensional topological insulators | 8 |
Multi-layer WSe2 field effect transistor with improved carrier-injection contact by using oxygen plasma treatment | 8 |
SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: In situ fabrication and enhanced gas sensing performance | 7 |
SCIE
影響因子 4.2
CiteScore 1.5
SCIE
影響因子 0.9
CiteScore 1.6
SCIE
影響因子 1.8
CiteScore 3.1
SCIE
影響因子 2.7
CiteScore 6.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.4
SCIE
CiteScore 4
SCIE
影響因子 4.8
CiteScore 6.7
SCIE
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 0.7
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.3
CiteScore 2.7
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