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Ieee Magnetics Letters是物理與天體物理領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發(fā)表物理與天體物理領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2010年,該期刊主要刊載PHYSICS, APPLIED及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)物理與天體物理領(lǐng)域的進(jìn)步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 352 |
21.2% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 152 / 179 |
15.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 284 / 354 |
19.92% |
學(xué)科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 148 / 179 |
17.6% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q3 | 189 / 284 |
33% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 26 | 49 | 67 | 88 | 72 | 92 | 66 | 48 | 61 | 33 |
國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
USA | 66 |
CHINA MAINLAND | 41 |
Russia | 34 |
Japan | 22 |
GERMANY (FED REP GER) | 16 |
South Korea | 12 |
Spain | 12 |
France | 11 |
India | 11 |
Italy | 9 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 17 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 8 |
LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY | 8 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 6 |
IMMANUEL KANT BALTIC FEDERAL UNIVERSITY | 6 |
KOTELNIKOV INSTITUTE OF RADIOENGINEERING & ELECTRONICS | 6 |
PURDUE UNIVERSITY SYSTEM | 6 |
AIR FORCE ENGINEERING UNIVERSITY | 5 |
NORTHEASTERN UNIVERSITY | 5 |
SOONGSIL UNIVERSITY | 5 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Experimental Demonstration of a Josephson Magnetic Memory Cell With a Programmable pi-Junction | 11 |
Experimental Validation of a Frequency-Selective Surface-Loaded Hybrid Metamaterial Absorber With Wide Bandwidth | 10 |
Low-Barrier Magnet Design for Efficient Hardware Binary Stochastic Neurons | 9 |
Equivalent Circuit Model for the Design of Frequency-Selective, Terahertz-Ban Graphene-Based Metamaterial Absorbers | 7 |
Area-Efficient Nonvolatile Flip-Flop Based on Spin Hall Effect | 7 |
Concurrent Core Loss Suppression and High Permeability by Introduction of Highly Insulating Intergranular Magnetic Inclusions to MnZn Ferrite | 6 |
Reliability and Scalability of p-Bits Implemented With Low Energy Barrier Nanomagnets | 5 |
Area-Efficient Multibit-per-Cell Architecture for Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory With Dedicated Diodes | 5 |
Micromagnetic Analysis of Statistical Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double Reference Layers | 5 |
Reliable Five-Nanosecond Writing of Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory | 5 |
SCIE
影響因子 4.2
CiteScore 1.5
SCIE
影響因子 0.9
CiteScore 1.6
SCIE
影響因子 1.8
CiteScore 3.1
SCIE
影響因子 2.7
CiteScore 6.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.4
SCIE
CiteScore 4
SCIE
影響因子 4.8
CiteScore 6.7
SCIE
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 0.7
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.3
CiteScore 2.7
若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。