本書(shū)針對(duì)當(dāng)前軍工電子工藝技術(shù)中存在的問(wèn)題，以科技創(chuàng)新為切入點(diǎn)，按照工藝技術(shù)體系框架展開(kāi)，清晰地論述了軍工電子各工藝之間的關(guān)系和與武器裝備研制的關(guān)聯(lián)。本書(shū)涵蓋了系統(tǒng)、整機(jī)、元器件、信息功能材料工藝及相應(yīng)的工藝設(shè)備，科學(xué)總結(jié)了軍事電子裝備研制生產(chǎn)有關(guān)的專(zhuān)業(yè)工藝技術(shù)和工藝管理方法，反映了軍事電子工業(yè)工藝技術(shù)的現(xiàn)狀、水平和成就。該書(shū)圖文并茂，數(shù)據(jù)，既有機(jī)理方法的描述，又有可操作的工藝技術(shù)；既包括了現(xiàn)今應(yīng)用的工藝技術(shù)，又面向了工藝技術(shù)的未來(lái)發(fā)展，實(shí)用性很強(qiáng)。該書(shū)的發(fā)行，正處于“中國(guó)制造2025”實(shí)施的歷史進(jìn)程中，對(duì)落實(shí)制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略、提高電子信息工藝水平有重要意義。
張為民，男，大學(xué)畢業(yè)后分配到中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第54研究所的前身——電子第17研究所從事工藝技術(shù)工作；1989年起擔(dān)任到中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第54研究所的工藝研究室副主任；1991年起擔(dān)任到中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第54研究所的工藝研究室主任；2004年8月起開(kāi)始不擔(dān)任行政工作，主要從事技術(shù)研究工作。
及時(shí)篇 概 論
第1章 軍用電子產(chǎn)品及其工藝技術(shù) 2
1.1 軍用電子產(chǎn)品 2
1.1.1 綜合電子信息系統(tǒng) 2
1.1.2 軍事電子裝備 2
1.1.3 電子元器件及信息功能材料 3
1.2 軍工電子工藝技術(shù)的內(nèi)涵與特點(diǎn) 5
1.2.1 軍工電子工藝技術(shù)的內(nèi)涵 5
1.2.2 軍工電子工藝技術(shù)的特點(diǎn) 5
1.3 軍工電子工藝技術(shù)的地位和作用 7
1.3.1 軍工電子工藝技術(shù)的地位 7
1.3.2 軍工電子工藝技術(shù)的作用 8
1.4 軍工電子工藝技術(shù)的發(fā)展歷程 10
參考文獻(xiàn) 12
第2章 軍工電子工藝技術(shù)體系 13
2.1 概述 13
2.1.1 軍工電子工藝技術(shù)體系圖 13
2.1.2 軍工電子工藝技術(shù)關(guān)系 13
2.2 軍工電子工藝技術(shù)體系構(gòu)成 13
2.2.1 信息功能材料制造工藝技術(shù) 16
2.2.2 電子元器件制造工藝技術(shù) 16
2.2.3 電氣互聯(lián)技術(shù) 17
2.2.4 電子整機(jī)制造工藝技術(shù) 19
2.2.5 共用技術(shù) 22
參考文獻(xiàn) 22
第二篇 工藝技術(shù)在軍事電子典型裝備中的應(yīng)用
第3章 典型電子裝備制造工藝應(yīng)用 24
3.1 雷達(dá)制造工藝 24
3.1.1 雷達(dá)及其基本組成 24
3.1.2 雷達(dá)裝備工藝技術(shù)體系 25
3.1.3 雷達(dá)關(guān)鍵工藝 27
3.2 電子戰(zhàn)裝備制造工藝 32
3.2.1 電子戰(zhàn)裝備及其基本組成 32
3.2.2 電子戰(zhàn)裝備工藝技術(shù)體系 33
3.2.3 電子戰(zhàn)裝備關(guān)鍵工藝 35
3.3 通信裝備制造工藝 43
3.3.1 通信裝備及其基本組成 43
3.3.2 通信裝備工藝技術(shù)體系 44
3.3.3 通信裝備關(guān)鍵工藝 44
3.4 導(dǎo)航裝備制造工藝 50
3.4.1 導(dǎo)航裝備及其基本組成 50
3.4.2 導(dǎo)航裝備工藝技術(shù)體系 52
3.4.3 導(dǎo)航裝備關(guān)鍵工藝 54
3.5 數(shù)據(jù)鏈裝備制造工藝 57
3.5.1 數(shù)據(jù)鏈裝備及其基本組成 57
3.5.2 數(shù)據(jù)鏈裝備工藝技術(shù)體系 58
3.5.3 數(shù)據(jù)鏈裝備關(guān)鍵工藝 60
3.6 綜合電子信息系統(tǒng)制造工藝 61
3.6.1 綜合電子信息系統(tǒng)及其基本組成 61
3.6.2 綜合電子信息系統(tǒng)工藝技術(shù)體系 62
3.6.3 綜合電子信息系統(tǒng)關(guān)鍵工藝 64
參考文獻(xiàn) 68
第4章 典型電子元器件制造工藝應(yīng)用 70
4.1 微電子器件制造工藝 70
4.1.1 微電子器件及其特點(diǎn) 70
4.1.2 微電子器件制造工藝流程 76
4.1.3 微電子器件制造工藝技術(shù)體系 78
4.1.4 微電子器件制造關(guān)鍵工藝 78
4.2 光電子器件制造工藝 85
4.2.1 光電子器件及其特點(diǎn) 85
4.2.2 光電子器件制造工藝流程 89
4.2.3 光電子器件制造工藝技術(shù)體系 95
4.2.4 光電子器件制造關(guān)鍵工藝 97
4.3 真空電子器件制造工藝 100
4.3.1 真空電子器件及其特點(diǎn) 100
4.3.2 真空電子器件制造工藝流程 102
4.3.3 真空電子器件制造工藝技術(shù)體系 104
4.3.4 真空電子器件制造關(guān)鍵工藝 106
4.4 MEMS器件制造工藝 107
4.4.1 MEMS器件及其特點(diǎn) 107
4.4.2 MEMS器件制造工藝流程 110
4.4.3 MEMS器件制造工藝技術(shù)體系 113
4.4.4 MEMS器件制造關(guān)鍵工藝 114
4.5 物理電源制造工藝 115
4.5.1 物理電源及其特點(diǎn) 115
4.5.2 物理電源制造工藝流程 116
4.5.3 物理電源制造工藝技術(shù)體系 117
4.5.4 物理電源制造關(guān)鍵工藝 118
4.6 傳感器制造工藝 118
4.6.1 傳感器及其特點(diǎn) 118
4.6.2 傳感器制造工藝流程 121
4.6.3 傳感器制造工藝技術(shù)體系 123
4.6.4 傳感器制造關(guān)鍵工藝 123
4.7 微系統(tǒng)集成制造工藝 124
4.7.1 微系統(tǒng)集成制造及其特點(diǎn) 124
4.7.2 微系統(tǒng)集成制造工藝流程 127
4.7.3 微系統(tǒng)集成制造工藝技術(shù)體系 129
4.7.4 微系統(tǒng)集成制造關(guān)鍵工藝 130
參考文獻(xiàn) 132
第三篇 信息功能材料制造工藝技術(shù)
第5章 信息功能材料制造工藝技術(shù)概述 134
5.1 信息功能材料的內(nèi)涵及特點(diǎn) 134
5.2 信息功能材料制造工藝的地位及作用 134
5.3 信息功能材料工藝體系框架 135
第6章 晶體材料生長(zhǎng)技術(shù) 136
6.1 概述 136
6.1.1 晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)體系 136
6.1.2 晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀 137
6.2 熔體法晶體生長(zhǎng)工藝 137
6.2.1 直拉法晶體生長(zhǎng)工藝 137
6.2.2 區(qū)熔法晶體生長(zhǎng)工藝 140
6.2.3 LEC晶體生長(zhǎng)工藝 142
6.2.4 VB/VGF法晶體生長(zhǎng)工藝 144
6.3 氣相法晶體生長(zhǎng)工藝 146
6.3.1 PVT法晶體生長(zhǎng)工藝 146
6.3.2 HVPE法晶體生長(zhǎng)工藝 148
6.4 晶體生長(zhǎng)設(shè)備 149
6.4.1 直拉單晶生長(zhǎng)爐 150
6.4.2 區(qū)熔單晶生長(zhǎng)爐 150
6.4.3 LEC單晶生長(zhǎng)爐 150
6.4.4 VB/VGF單晶生長(zhǎng)爐 151
6.4.5 PVT法單晶生長(zhǎng)爐 152
6.4.6 HVPE法單晶生長(zhǎng)爐 153
6.5 晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 154
參考文獻(xiàn) 154
第7章 晶體材料加工技術(shù) 155
7.1 概述 155
7.1.1 晶體材料加工技術(shù)體系 155
7.1.2 晶體材料加工技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀 156
7.2 晶體材料加工技術(shù) 156
7.2.1 斷棒 156
7.2.2 單晶棒外圓滾磨和定位面的制作 156
7.2.3 切片 159
7.2.4 倒角 160
7.2.5 倒角后晶圓的厚度分選 160
7.2.6 晶圓的雙面研磨或表面磨削 161
7.2.7 化學(xué)腐蝕 162
7.2.8 腐蝕后晶圓的厚度分選 163
7.2.9 拋光 163
7.2.10 晶圓清洗 165
7.2.11 晶圓測(cè)量與包裝 165
7.3 晶體加工設(shè)備 166
7.3.1 切片機(jī) 166
7.3.2 倒角機(jī) 166
7.3.3 磨拋設(shè)備 167
7.3.4 清洗設(shè)備 168
7.4 晶體材料加工技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 168
參考文獻(xiàn) 169
第8章 粉體材料制備技術(shù) 170
8.1 概述 170
8.1.1 粉體材料制備技術(shù)體系 170
8.1.2 粉體材料制備技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀 170
8.2 固相法粉體制備工藝 170
8.2.1 配料、混料 171
8.2.2 預(yù)燒 171
8.2.3 磨料 172
8.3 液相法粉體制備工藝 172
8.3.1 溶膠?凝膠法 172
8.3.2 水熱合成法 173
8.3.3 共沉淀法 173
8.4 粉體制備工藝設(shè)備 174
8.4.1 固相法粉體制備工藝設(shè)備 174
8.4.2 液相法粉體制備工藝設(shè)備 176
8.5 粉體材料制備技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) 176
參考文獻(xiàn) 176
第9章 粉體材料成型技術(shù) 177
9.1 概述 177
9.1.1 粉體材料成型技術(shù)體系 177
9.1.2 粉體材料成型技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀 177
9.2 粉體材料成型工藝 177
9.2.1 成型工藝 177
9.2.2 燒結(jié)工藝 179
9.2.3 磨加工工藝 180
9.2.4 清洗檢驗(yàn) 181
9.3 粉體材料加工工藝設(shè)備 181
9.3.1 成型設(shè)備 181
9.3.2 燒結(jié)設(shè)備 182
9.3.3 磨加工設(shè)備 183
9.4 粉體材料加工工藝發(fā)展趨勢(shì) 183
參考文獻(xiàn) 184
第四篇 電子元器件制造工藝技術(shù)
第10章 外延工藝 186
10.1 概述 186
10.1.1 外延工藝技術(shù)體系 186
10.1.2 外延工藝的應(yīng)用現(xiàn)狀 187
10.2 氣相外延(VPE)工藝 187
10.2.1 Si氣相外延 188
10.2.2 SiGe氣相外延 189
10.2.3 GaAs氣相外延 190
10.2.4 SiC氣相外延 192
10.3 液相外延(LPE)工藝 192
10.3.1 GaAs系液相外延 193
10.3.2 InP系液相外延 194
10.3.3 HgCdTe系液相外延 194
10.4 分子束外延(MBE)工藝 195
10.4.1 固態(tài)源分子束外延(SSMBE) 195
10.4.2 氣態(tài)源分子束外延(GSMBE) 197
10.4.3 有機(jī)源分子束外延(MOMBE) 197
10.5 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積外延(MOCVD)工藝 198
10.5.1 GaAs/InP系MOCVD 198
10.5.2 GaN系MOCVD 200
10.6 外延設(shè)備 201
10.6.1 氣相外延(VPE)爐 201
10.6.2 液相外延爐 201
10.6.3 分子束外延設(shè)備 202
10.6.4 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積外延設(shè)備 202
10.7 外延工藝發(fā)展趨勢(shì) 204
參考文獻(xiàn) 204
第11章 掩模制造與光刻工藝 205
11.1 概述 205
11.1.1 掩模制造與光刻工藝技術(shù)體系 205
11.1.2 掩模制造與光刻工藝的應(yīng)用現(xiàn)狀 206
11.2 掩模制造工藝 206
11.2.1 數(shù)據(jù)處理 206
11.2.2 曝光 207
11.2.3 掩模的基板 207
11.2.4 掩模制造工藝分類(lèi) 207
11.2.5 掩模質(zhì)量控制 208
11.3 光刻工藝 209
11.3.1 預(yù)處理 209
11.3.2 涂膠 210
11.3.3 曝光 210
11.3.4 顯影 214
11.3.5 光刻質(zhì)量控制 215
11.4 掩模和光刻設(shè)備 217
11.4.1 涂膠顯影軌道 217
11.4.2 光刻機(jī) 217
11.4.3 電子束曝光系統(tǒng) 217
11.5 掩模制造與光刻工藝發(fā)展趨勢(shì) 218
參考文獻(xiàn) 219
第12章 摻雜工藝 220
12.1 概述 220
12.1.1 摻雜工藝技術(shù)體系 220
12.1.2 摻雜工藝的應(yīng)用現(xiàn)狀 220
12.2 擴(kuò)散工藝 221
12.2.1 擴(kuò)散 221
12.2.2 常用擴(kuò)散工藝 223
12.2.3 擴(kuò)散層質(zhì)量的檢驗(yàn) 227
12.3 離子注入工藝 229
12.3.1 離子注入 229
12.3.2 離子注入系統(tǒng) 231
12.3.3 離子注入?yún)?shù) 233
12.3.4 離子注入工藝與應(yīng)用 233
12.4 摻雜設(shè)備 235
12.4.1 擴(kuò)散氧化爐 235
12.4.2 離子注入機(jī) 236
12.4.3 退火爐 236
12.5 摻雜工藝發(fā)展趨勢(shì) 236
參考文獻(xiàn) 237
第13章 刻蝕工藝 238
13.1 概述 238
13.1.1 刻蝕工藝技術(shù)體系 238
13.1.2 刻蝕工藝的應(yīng)用現(xiàn)狀 239
13.2 濕法刻蝕工藝 239
13.2.1 硅的刻蝕 239
13.2.2 GaAs和InP的各向異性刻蝕 242
13.2.3 非半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕 244
13.3 干法刻蝕工藝 246
13.3.1 干法刻蝕 246
13.3.2 等離子刻蝕的工藝參數(shù) 247
13.3.3 等離子體刻蝕方法 249
13.4 刻蝕設(shè)備 252
13.4.1 等離子刻蝕設(shè)備 253
13.4.2 離子束刻蝕設(shè)備 253
13.4.3 反應(yīng)離子刻蝕機(jī) 253
13.5 刻蝕工藝發(fā)展趨勢(shì) 254
參考文獻(xiàn) 254
第14章 薄膜生長(zhǎng)工藝 255
14.1 概述 255
14.1.1 薄膜生長(zhǎng)工藝技術(shù)體系 255
14.1.2 薄膜淀積工藝應(yīng)用現(xiàn)狀 256
14.2 金屬薄膜生長(zhǎng)工藝 256
14.2.1 真空鍍膜 256
14.2.2 電鍍法 261
14.2.3 CVD法 262
14.3 介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)工藝 262
14.3.1
能解釋下么，接近兩百塊的書(shū)就包裝成這個(gè)樣子？到手跟舊書(shū)差不多，里面這個(gè)臟兮兮的是啥，舊書(shū)？還是本來(lái)就盜版的？
書(shū)很不錯(cuò)，講解的很詳細(xì)
