推薦合適期刊 投稿指導 助力快速見刊免費咨詢
Journal Of Vacuum Science & Technology B是工程技術領域的一本優秀期刊。由A V S AMER INST PHYSICS出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于1991年，該期刊主要刊載工程技術-工程：電子與電氣及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI4區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動工程技術領域的進步。
同時，我們注重來稿文章表述的清晰度，以及其與我們的讀者群體和研究領域的相關性。為此，我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 約3.0個月 。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮，建議您在提交前主動與期刊主編取得聯系，或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據您的研究內容和方向，為您推薦最為合適的期刊，助力您順利投稿，實現學術成果的順利發表。
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 4區 4區 4區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6% |
| 學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61% |
| 學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發文量 | 284 | 281 | 293 | 245 | 231 | 137 | 206 | 149 | 155 | 197 |
| 文章名稱 | 引用次數 |
| Review Article: Synthesis, properties, and applications of fluorescent diamond particles | 21 |
| Review Article: Atomic layer deposition of optoelectronic materials | 14 |
| Tutorial on interpreting x-ray photoelectron spectroscopy survey spectra: Questions and answers on spectra from the atomic layer deposition of Al2O3 on silicon | 9 |
| Future prospects of fluoride based upconversion nanoparticles for emerging applications in biomedical and energy harvesting | 7 |
| Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with elemental capping layers | 7 |
| High-density energy storage in Si-doped hafnium oxide thin films on area-enhanced substrates | 6 |
| Minimal domain size necessary to simulate the field enhancement factor numerically with specified precision | 6 |
| Direct metal etch of ruthenium for advanced interconnect | 6 |
| Reduced twinning and surface roughness of Bi2Se3 and Bi2Te3 layers grown by molecular beam epitaxy on sapphire substrates | 6 |
| Atomic force microscope integrated with a scanning electron microscope for correlative nanofabrication and microscopy | 6 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務，請聯系出版商：A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。