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Journal Of Semiconductor Technology And Science
人氣:17

Journal Of Semiconductor Technology And Science SCIE

  • ISSN:1598-1657
  • 出版商:Institute of Electronics Engineers of Korea
  • 出版語言:English
  • E-ISSN:2233-4866
  • 出版地區(qū):SOUTH KOREA
  • 是否預警:
  • 創(chuàng)刊時間:2001
  • 出版周期:6 issues/year
  • TOP期刊:
  • 影響因子:0.5
  • 是否OA:未開放
  • CiteScore:0.9
  • H-index:15
  • 研究類文章占比:97.30%
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • 出版國人文章占比:0.05
  • 國際標準簡稱:J SEMICOND TECH SCI
  • 涉及的研究方向:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED
  • 中文名稱:半導體技術(shù)與科學雜志
  • 預計審稿周期: 較慢,6-12周
國內(nèi)分區(qū)信息:

大類學科:工程技術(shù)  中科院分區(qū)  4區(qū)

國際分區(qū)信息:

JCR學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC、PHYSICS, APPLIED  JCR分區(qū)  Q4

  • 影響因子:0.5
  • Gold OA文章占比:0.00%
  • CiteScore:0.9
  • 研究類文章占比:97.30%
  • 出版國人文章占比:0.05

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Journal Of Semiconductor Technology And Science 期刊簡介

Journal Of Semiconductor Technology And Science是工程技術(shù)領(lǐng)域的一本優(yōu)秀期刊。由Institute of Electronics Engineers of Korea出版社出版。該期刊主要發(fā)表工程技術(shù)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2001年,該期刊主要刊載ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進展,更以其深厚的學術(shù)積淀和卓越的審稿標準,確保每篇文章都具備高度的學術(shù)價值。此外,該刊同時被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI4區(qū)期刊,它始終堅持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價值的研究成果,不斷推動工程技術(shù)領(lǐng)域的進步。

同時,我們注重來稿文章表述的清晰度,以及其與我們的讀者群體和研究領(lǐng)域的相關(guān)性。為此,我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均 較慢,6-12周 。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮,建議您在提交前主動與期刊主編取得聯(lián)系,或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據(jù)您的研究內(nèi)容和方向,為您推薦最為合適的期刊,助力您順利投稿,實現(xiàn)學術(shù)成果的順利發(fā)表。

Journal Of Semiconductor Technology And Science 期刊國內(nèi)分區(qū)信息

中科院分區(qū) 2023年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

Journal Of Semiconductor Technology And Science 期刊國際分區(qū)信息(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352

6.7%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.5%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354

3.53%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179

1.96%

CiteScore指數(shù)(2024年最新版)

  • CiteScore:0.9
  • SJR:0.181
  • SNIP:0.216
學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797

18%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284

12%

期刊評價數(shù)據(jù)趨勢圖

中科院分區(qū)趨勢圖
期刊影響因子和自引率趨勢圖

發(fā)文統(tǒng)計

年發(fā)文量統(tǒng)計
年份 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023
年發(fā)文量 85 84 107 114 95 78 70 10 51 37
國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
國家/地區(qū) 數(shù)量
South Korea 220
CHINA MAINLAND 14
USA 8
India 5
Japan 3
Taiwan 3
Vietnam 3
England 1
Indonesia 1
Iran 1
機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計
機構(gòu) 數(shù)量
HANYANG UNIVERSITY 24
HONGIK UNIVERSITY 21
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) 17
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY (KAIST) 15
CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY 14
KWANGWOON UNIVERSITY 14
SAMSUNG 14
EWHA WOMANS UNIVERSITY 12
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) 12
SOGANG UNIVERSITY 10

高引用文章

文章名稱 引用次數(shù)
A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driver Array 4
A Watt-level Broadband Power Amplifier in GaAs HBT Process 4
A 3-Gb/s Equalizer with an Adaptive Swing Controller for TFT-LCD Interfaces 4
Gallium Nitride PIN Avalanche Photodiode with Double-step Mesa Structure 3
Processing and Characterization of Ultra-thin Poly-crystalline Silicon for Memory and Logic Applications 3
Investigation on Phase-change Synapse Devices for More Gradual Switching 3
Properties of Resistive Switching in TiO2 Nanocluster-SiOx(x < 2) Matrix Structure 3
Xenon Flash Lamp Annealing on a-IGZO Thin-film Transistors at Different Pulse Repetition Numbers 3
Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor 2
Investigation of Wafer Warpage Induced by Multi-layer Films 2

免責聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。

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