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影響因子：2.5
Gold OA文章占比：24.52%
CiteScore：4.8
研究類文章占比：97.22%
開源占比：0.057
文章自引率：0.05
出版國人文章占比：0.14

推薦合適期刊投稿指導助力快速見刊免費咨詢

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 期刊簡介

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability是工程技術領域的一本優秀期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于2001年，該期刊主要刊載工程技術-工程：電子與電氣及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI3區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動工程技術領域的進步。

同時，我們注重來稿文章表述的清晰度，以及其與我們的讀者群體和研究領域的相關性。為此，我們期待所有投稿的文章能夠保持簡潔明了、組織有序、表述清晰。該期刊平均審稿速度為平均較慢,6-12周。若您對于稿件是否適合該期刊存在疑慮，建議您在提交前主動與期刊主編取得聯系，或咨詢本站的客服老師。我們的客服老師將根據您的研究內容和方向，為您推薦最為合適的期刊，助力您順利投稿，實現學術成果的順利發表。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 期刊國內分區信息

中科院分區 2023年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區	否	否

中科院分區 2022年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區	否	否

中科院分區 2021年12月舊的升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區	否	否

中科院分區 2021年12月基礎版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區	否	否

中科院分區 2021年12月升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區	否	否

中科院分區 2020年12月舊的升級版

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	3區 4區	否	否

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 期刊國際分區信息（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	165 / 352	53.3%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	87 / 179	51.7%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	186 / 354	47.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	99 / 179	44.97%

CiteScore指數（2024年最新版）

CiteScore：4.8
SJR：0.436
SNIP：1.148

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality	Q2	65 / 207	68%
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	274 / 797	65%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	103 / 284	63%

期刊評價數據趨勢圖

中科院分區趨勢圖

期刊影響因子和自引率趨勢圖

發文統計

年發文量統計

年份	2014	2015	2016	2017	2018	2019	2020	2021	2022	2023
年發文量	147	81	89	98	79	101	92	80	56	72

國家/地區發文量統計

國家/地區	數量
USA	52
CHINA MAINLAND	51
India	50
Taiwan	35
France	20
Italy	18
Belgium	15
Austria	14
Japan	13
GERMANY (FED REP GER)	12

機構發文量統計

機構	數量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)	23
IMEC	15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)	14
STMICROELECTRONICS	10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN	9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY	8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY	8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES	7
GLOBALFOUNDRIES	7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES	6

高引用文章

文章名稱	引用次數
A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device	23
Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation	9
Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling	9
Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells	8
Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability	7
Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor	7
Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects	6
Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories	6
A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications	6
A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor	6